Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Saurova T$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Saurova T. Infrared detectors based on ternary semiconductor quantum structures [Електронний ресурс] / T. Saurova, I. Baida // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Приладобудування. - 2016. - Вип. 52. - С. 65-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_prylad_2016_52_14 The development of growth process of multilayer semiconductor structures enables investigation of a new class of infrared detectors - detectors on quantum structures. The current trends of infrared receivers' development are caused by active material research for a variety of nanostructures. The current state of development of infrared quantum structure detectors using ternary semiconductor alloys is considered. The maximal detectivity values of traditional detectors and quantum structure detectors are presented. The analysis of parameters for different types of materials and structures is performed. | ||
| 2. |
Saurova T. Research of impulse properties of indum phosphide [Електронний ресурс] / T. Saurova, D. Kuzmenko // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Приладобудування. - 2017. - Вип. 54. - С. 49–52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_prylad_2017_54_10 Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дано аналіз ефекту "сплеску" дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного "сплеску" швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості "сплеску" скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину "сплеску" і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення "сплеску" зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |